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IXTN110N20L2
160
Fig. 7. Input Admittance
140
Fig. 8. Transconductance
140
120
100
80
60
40
20
0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
120
100
80
60
40
20
0
T J = - 40oC
25oC
125oC
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
320
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
16
V DS = 100V
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
280
240
200
160
120
14
12
10
8
6
I D = 55A
I G = 10mA
80
40
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
0
100
200
300
400
500
600
700
800
100,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1.000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
10,000
1,000
100
Ciss
Coss
Crss
0.100
0.010
0.001
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
Pulse Width - Seconds
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